[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法有效
| 申请号： | 201610849288.9 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107017160B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 田中幸二;盐川俊行;益富裕之;佐藤尊三;田中裕司;稻田尊士;平山司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置能够利用处理液对基板均匀地进行处理。在本发明中，基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置（B1、D1）朝向水平方向地向外侧打开的位置（A1、C1）。 | ||
| 搜索关键词： | 基板液 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板液处理装置，其特征在于，该基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置朝向水平方向地向外侧打开的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610849288.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：封装基板的加工方法
- 下一篇：用于低功率电压模式操作的周期平均的频率调谐
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
