[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610849513.9 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107026216B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 葛西大树 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/105;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在第一半导体层上；中间半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上，并且具有n型的导电型；第二绝缘体层，其设置在上述中间半导体层上；第二半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上；传感器，其形成于上述第一半导体层的上述第二区域；接触电极，其与上述中间半导体层连接；以及电路元件，其形成于上述第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体层，其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域；第一绝缘体层，其设置在上述第一半导体层上；中间半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上，并且具有n型的导电型；第二绝缘体层，其设置在上述中间半导体层上；第二半导体层，其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上；传感器，其形成于上述第一半导体层的上述第二区域；接触电极，其与上述中间半导体层连接；以及电路元件，其形成于上述第二半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
