[发明专利]一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法

摘要

本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法，将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来，利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优，找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量，从而节省人力物力，同时节省时间成本。

主权项

一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法，其特征在于：a、利用MOCVD设备生长ZnO薄膜，在MOCVD的反应腔的上部将MO源与O源预先混合均匀后，然后在所述反应腔内完成ZnO薄膜的生长；b、通过控制若干个MO源流量来进行若干组实验，生长完成后测量ZnO薄膜上若干个取样点的厚度，得到若干组实验数值的薄膜沉积率；c、构建CFD数值模拟模型并利用上述若干个MO源流量进行数值模拟计算，监测上述若干个取样点的薄膜沉积率，得到若干组模拟数值的薄膜沉积率；d、实验数值的薄膜沉积率和模拟数值的薄膜沉积率对比，数值模拟结果和实验结果拟合后，验证数值模拟结果的正确性；e、进行实验设计，通过控制MO源流量，随机选取若干组初始值，利用若干组MO源流量输入进行数值模拟，得到相应的若干组薄膜沉积率输出；f、利用上述若干组MO源流量输入和薄膜沉积率输出构建神经网络数学模型，得到输入和输出之间的对应关系；g、将所述的神经网络数学模型和遗传算法相结合，利用遗传算法进行工艺参数寻优，找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量。