[发明专利]一种大电流功率半导体器件的封装结构及制造方法

摘要

本发明涉及一种大电流功率半导体器件的封装结构及制造方法，包括散热片、半导体芯片、塑封体和装片基岛，装片基岛与散热片连接，半导体芯片背面的第三电极焊接到装片基岛的第一表面上，其特征在于，半导体芯片正面的第一电极与第一导电金属片一端焊接，第二电极与第二导电金属片一端焊接，塑封体内封装有装片基岛的第一表面、半导体芯片、第一和第二导电金属片的焊接端，散热片、装片基岛的第二表面、第一和第二导电金属片的另一端作为引脚均裸露在塑封体外；本发明采用导电金属片作为引脚直接与半导体芯片的电极焊接，既降低器件封装电阻，增加器件过电流能力，又增强器件的散热能力，降低封装热阻，提高器件封装的可靠性。

主权项

1.一种大电流功率半导体器件的封装结构，包括散热片（1）、半导体芯片（2）、塑封体（3）和装片基岛（13），所述半导体芯片（2）包括正面的第一电极（21）、第二电极（22）和正面相对的背面的第三电极（23），所述装片基岛（13）包括第一表面（131）和与第一表面（131）相对的第二表面（132），所述装片基岛（13）为导电导热的金属材料，且与散热片（1）连接，所述半导体芯片（2）背面的第三电极（23）焊接到装片基岛（13）的第一表面（131）上，其特征在于，所述半导体芯片（2）正面的第一电极（21）与第一导电金属片（11）的一端焊接，第二电极（22）与第二导电金属片（12）的一端焊接，所述塑封体（3）内封装有装片基岛（13）的第一表面（131）、半导体芯片（2）、第一导电金属片（11）和第二导电金属片（12）的焊接端，散热片（1）和装片基岛（13）的第二表面（132）裸露在塑封体（3）外，第一导电金属片（11）和第二导电金属片（12）的另一端作为引脚伸出塑封体（3）外；所述封装结构为直插式封装形式，第三电极引脚（14）直接与装片基岛（13）连接且处于同一平面，将导电金属片预先折弯成一定的角度，导电金属片放置在半导体芯片的正面后与装片基岛（13）在同一平面，第一导电金属片（11）的另一端、第二导电金属片（12）的另一端、装片基岛（13）、散热片（1）和第三电极引脚（14）在封装后处于同一平面，且厚度相同；第二导电金属片（12）的弯折部分（121）露出塑封体（3）外。