[发明专利]传输腔室及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201610854406.5 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871682A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 宋瑞智 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种传输腔室及半导体加工设备，传输腔室包括腔体和进气装置，所述进气装置包括加热单元，所述加热单元用于加热进入腔体的空气，以降低所述空气中的水汽含量。本发明提供的传输腔室及半导体加工设备，可解决凝结形成的氢卤酸对大气端零部件腐蚀污染的问题，从而不仅可以延长腔室定期保养清洁的周期，减少维护成本，而且还可以减少腐蚀产生的颗粒对刻蚀缺陷(Defect)影响，提高刻蚀良率。 | ||
| 搜索关键词： | 传输 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种传输腔室，其特征在于，包括腔体和进气装置，所述进气装置包括加热单元，所述加热单元用于加热进入所述腔体的空气，以降低所述空气中的水汽含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
