[发明专利]上转换发光材料的制造方法有效
| 申请号： | 201610854641.2 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107868662B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 宋超;郑桦;李桐霞;林泽键;黄锐;郭艳青;王祥;宋捷 | 申请（专利权）人： | 韩山师范学院 |
| 主分类号： | C09K11/84 | 分类号： | C09K11/84;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 521041 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种上转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂硫氧化物进行选取，包括：稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料对应的基质稀土氧化物靶和基质稀土硫化物靶，稀土掺杂硫氧化物的稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶；步骤三、将衬底放入到共溅射反应室的基片座上；步骤四、将对共溅射反应室进行抽真空；步骤五、通入溅射气体并进行衬底温度为室温～400摄氏度的溅射工艺在衬底表面形成所述稀土掺杂硫氧化物。本发明能在较低温度下实现材料的大面积生长，能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低，并能有效的与太阳能电池的制备过程相结合。 | ||
| 搜索关键词： | 转换 发光 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种上转换发光材料的制造方法，其特征在于，上转换发光材料由采用包括如下步骤形成的稀土掺杂硫氧化物组成：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、在所述多靶磁控溅射设备的共溅射反应室中安装多个靶材，靶材根据所要形成的所述稀土掺杂硫氧化物进行选取，包括：所述稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料对应的基质稀土氧化物靶和基质稀土硫化物靶，所述稀土掺杂硫氧化物的稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶；步骤三、将衬底放入到所述共溅射反应室的基片座上；步骤四、将对所述共溅射反应室进行抽真空；步骤五、通入溅射气体并进行溅射工艺在所述衬底表面形成所述稀土掺杂硫氧化物，所述溅射工艺的衬底温度为室温～400摄氏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩山师范学院，未经韩山师范学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610854641.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
