[发明专利]一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610860377.3 申请日: 2016-09-28
公开(公告)号: CN106449128B 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 谢一兵;路露 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/48;H01G11/86
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 郑立发
地址: 210088 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用,所述材料包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)和杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3);所述的氮化钛纳米线阵列(2)直接生长在碳基底(1)上,并且均匀垂直排列在碳基底表面;所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)完整包裹在氮化钛纳米线阵列(2)表面;杂多酸修饰聚苯胺复合膜杂多酸修饰聚苯胺复合膜本发明还提供了杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料的详细制备方法及其在电化学储能领域的应用。相对于现有技术,本发明所述材料利用聚苯胺固载杂多酸,有效的解决了杂多酸易溶于水溶液难以应用于电极材料的缺陷,同时提升了聚苯胺的容量性质。
搜索关键词: 一体化 杂多 修饰 苯胺 氮化 钛核壳 纳米 阵列 复合材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料,其特征在于:包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)和杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3);所述的氮化钛纳米线阵列(2)直接生长在碳基底(1)上,并且均匀垂直排列在碳基底表面;所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)完整包裹在氮化钛纳米线阵列(2)表面;所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)中杂多酸在分子层面上均匀镶嵌在聚苯胺内,形成复合膜层;所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)中杂多酸通过静电吸附,配位络合方式固载在聚苯胺膜内。
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