[发明专利]一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法有效
申请号: | 201610860875.8 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106479504B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 胡涛;倪芸岚;高立江;邢攸美;龚升;尹云舰;方伟华 | 申请(专利权)人: | 杭州格林达电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/06 | 分类号: | C09K13/06 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人: | 冯年群 |
地址: | 310000 浙江省杭州市萧*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法,其重量百分比组成如下:硝酸5~15%,硫酸5~15%,醋酸5~25%,添加剂0.01~1%,余量为水,所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中,然后加入添加剂和余量高纯水,搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强,蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料,不含磷酸,蚀刻液黏度低,蚀刻过程中药液带出量少,蚀刻液寿命长,有利于降低蚀刻液的成本。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻液 蚀刻 制备 添加剂 低黏度 硫酸 醋酸 电子级醋酸 电子级硫酸 电子级硝酸 重量百分比 导电薄膜 过程中药 碱金属盐 黏度 高纯水 含磷酸 能力强 无残留 硝酸 混配 液带 过滤 | ||
【主权项】:
1.一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液,其特征在于:其重量百分比组成如下: 硝酸8~15%,硫酸5~15%,醋酸5%或15‑20%,添加剂0.01~1%,余量为水,所述添加剂选自硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸钾、醋酸钾、硫酸钾、磷酸二氢钾和焦磷酸钾中的任意一种。
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