[发明专利]支持大于4GB非线性闪存的方法及装置有效
| 申请号： | 201610861927.3 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107870736B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 毛卫龙 | 申请（专利权）人： | 龙芯中科技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;刘芳 |
| 地址： | 100095 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明实施例提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置。该方法包括：将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到2 |
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| 搜索关键词： | 支持 大于 gb 非线性 闪存 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种支持大于4GB非线性闪存的方法，其特征在于，应用于VxWorks系统，包括：将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存。
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