[发明专利]制造碳化硅单晶的装置和方法在审
| 申请号： | 201610862561.1 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106948007A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 原一都;徳田雄一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/02;C30B25/10;C30B25/16;C30B25/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈珊,刘兴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅单晶(20)的装置，通过从由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶，该装置包括：基部(9)，其具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，籽晶安装于基部的第一侧上；以及净化气体引入机构(11)，其用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部，其中基部包括大直径部分(95a)和小直径部分(95b)，小直径部分的直径小于大直径部分的直径，小直径部分位于大直径部分的下面，以及基部包括净化气体引入路径(95c)，所述净化气体引入路径(95c)从基部的第二侧向下延伸穿过大直径部分至小直径部分，然后在相对于基部的中心轴线径向向外的方向上延伸穿过小直径部分。
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