[发明专利]曝光装置以及曝光装置的对准方法有效
申请号: | 201610865654.X | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN107015439B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 三好久司 | 申请(专利权)人: | 株式会社ORC制作所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 曝光装置以及曝光装置的对准方法,即使对配设有众多图案的基板,也迅速且准确地进行对准。曝光装置具有对准所使用的照相机(29)和DMD(22),能够按照FO‑WLP形成图案,在该曝光装置中,使多个半导体芯片(SC)落在视野内而同时拍摄,从其图像提取各个半导体芯片(SC)的轮廓,将提取了作为标记的连接焊盘(CP)的比较对象区域(TA)的图像与模板图像进行比较,检测各芯片的位置偏差量。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 以及 对准 方法 | ||
【主权项】:
一种曝光装置,对排列有众多下层图案的基板进行构图,该曝光装置的特征在于,具有:拍摄部,其进行拍摄,使得在所述众多下层图案中,在视野内捕捉到多个下层图案;计测部,其计测各下层图案的位置;以及校正部,其通过模板匹配来计算各下层图案的位置偏差量,校正描绘数据,所述计测部根据提取了各个下层图案的属于至少一部分区域的特征标记的比较对象图像进行模板匹配,检测位置偏差。
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