[发明专利]一种CMP工艺仿真方法和系统有效
| 申请号： | 201610865739.8 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107885892B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/18;G06F119/14;G06F111/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMP工艺仿真方法和系统，包括：提取网格化的待研磨芯片中任一网格区域内的图形特征参数；根据图形特征参数和膜层淀积速率方程，仿真获得网格区域沉积膜层后的初始表面高度；根据初始表面高度计算网格区域与研磨垫之间的接触压力，并根据接触压力计算网格区域的研磨去除速率；根据网格区域的初始表面高度和研磨去除速率对待研磨芯片表面进行形貌仿真，以获得待研磨芯片表面膜层的实时表面高度，从而可以实现鳍式场效应晶体管多晶硅栅CMP工艺的快速仿真，对芯片表面形貌及工艺偏差进行动态模拟，为鳍式场效应晶体管多晶硅栅的CMP工艺参数的优化和可制造性设计优化提供指导性建议。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 工艺 仿真 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种CMP工艺仿真方法，其特征在于，包括：提取网格化的待研磨芯片中任一网格区域内的图形特征参数；根据所述图形特征参数和膜层淀积速率方程，仿真获得所述网格区域沉积膜层后的初始表面高度；根据所述初始表面高度计算所述网格区域与研磨垫之间的接触压力，并根据所述接触压力计算所述网格区域的研磨去除速率；根据所述网格区域的初始表面高度和所述研磨去除速率对所述待研磨芯片表面进行形貌仿真，以获得所述待研磨芯片表面膜层的实时表面高度。
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