[发明专利]热电结构体、热电器件和其制造方法在审
| 申请号： | 201610868492.5 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107017333A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 金圣雄;金恩声;黃在烈;朴晟准;申铉振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开热电结构体、热电器件和其制造方法。可包括在热电器件中的热电结构体可包括薄膜结构体，所述薄膜结构体可包含多个薄膜层。所述薄膜结构体可包括碲。所述薄膜结构体可在基底上。所述基底可包括氧化物，且缓冲层可在所述基底和所述薄膜结构体之间。所述热电结构体可经由将从靶烧蚀的材料沉积到所述基底上而制造。一些材料可与所述基底反应以形成所述缓冲层，和薄膜层可形成于所述缓冲层上。可将所述薄膜层从所述基底除去并且提供在单独的基底上。将所述薄膜层从所述基底除去可包括将所述薄膜层从所述缓冲层除去。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 结构 热电器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
制造热电结构体的方法，所述方法包括：朝着靶发射激光以从所述靶分离构成所述靶的材料的至少第一和第二部分，所述靶包括碲(Te)；基于在氧化物基底上沉积所述材料的第一部分而形成缓冲层，所述缓冲层包括氧化碲；和基于在所述缓冲层上沉积所述材料的第二部分而形成薄膜结构体，所述薄膜结构体包括Te。
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