[发明专利]一种Si-V发光的纳米金刚石晶粒及其制备方法有效
| 申请号： | 201610870724.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106637400B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君;仰宗春 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C09K11/65 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;王兵 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Si‑V发光的纳米金刚石晶粒，其制备方法为：采用热丝化学气相沉积法，在经过纳米金刚石溶液超声振荡预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，得到沉积于石英衬底上的Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜；通过超声振荡，将Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜从石英衬底上剥离；并继续进行超声振荡，将纳米金刚石薄膜震碎，制得Si‑V发光的纳米金刚石晶粒；本发明简单易行、容易操作，制备了尺寸在70～100nm的Si‑V发光的纳米金刚石晶粒，其晶型规则，发光峰的归一化强度约为4.5，为纳米金刚石在生物标记等领域的应用提供了重要基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 发光 纳米 金刚石 晶粒 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si‑V发光的纳米金刚石晶粒，其特征在于，所述Si‑V发光的纳米金刚石晶粒按如下方法制备得到：(1)对石英衬底进行纳米金刚石溶液超声振荡预处理，操作方法为：将粒径100nm的纳米金刚石粉末以料液质量比1：50～150分散于去离子水中，得到纳米金刚石溶液，将石英衬底置于所得纳米金刚石溶液中，使用功率为200W的超声机超声振荡0.5～3h，之后将石英衬底依次置于去离子水、丙酮中，使用功率为200W的超声机分别进行超声清洗2min，最后干燥，备用；(2)采用热丝化学气相沉积法，在经过步骤(1)预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，得到沉积于石英衬底上的Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜；(3)通过超声振荡，将步骤(2)所得沉积于石英衬底上的Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜从石英衬底上剥离，并对剥离后的纳米金刚石薄膜继续进行超声振荡，将纳米金刚石薄膜震碎，即制得Si‑V发光的纳米金刚石晶粒。
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