[发明专利]萘嵌间二氮杂苯衍生物及应用在审
申请号: | 201610872846.3 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN107880050A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 范洪涛;邢其锋;张伟;张向慧 | 申请(专利权)人: | 北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司 |
主分类号: | C07D487/16 | 分类号: | C07D487/16;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
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地址: | 100192 北京市海淀区西小口路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种通式化合物由如下通式(I)其中,A1、A2分别独立选自C1~C12的烷基、C6~C60的取代或未取代的芳基、C10~C60的取代或未取代的稠环芳基;所述取代的芳基具体指其取代基选自C1~C8的烷基、卤素、CN,或者选自Si(R1)3,该R1选自C1~C6的烷基;所述和取代的稠环芳基具体指其取代基选自C1~C8的烷基、卤素、CN,或者选自Si(R2)3,该R2选自C1~C6的烷基。本发明通式化合物可用在有机电致发光器件中。 | ||
搜索关键词: | 萘嵌间二氮杂苯 衍生物 应用 | ||
【主权项】:
一种通式化合物由如下通式(I)表示:其中,A1、A2分别独立选自C1~C12的烷基、C6~C60的取代或未取代的芳基、C10~C60的取代或未取代的稠环芳基;所述取代的芳基具体指其取代基选自C1~C8的烷基、卤素、CN,或者选自Si(R1)3,该R1选自C1~C6的烷基;所述和取代的稠环芳基具体指其取代基选自C1~C8的烷基、卤素、CN,或者选自Si(R2)3,该R2选自C1~C6的烷基。
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