[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板极其制造方法和显示面板有效
| 申请号： | 201610873680.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106340543B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 姜春咸,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极的上表面上形成有多个第一凹槽。本发明还提供一种阵列基板、一种显示面板、一种阵列基板的制造方法。制造所述薄膜晶体管时，图形精确，产品良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 极其 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极的上表面上形成有多个第一凹槽，在形成有所述第一凹槽的电极时，通过调节沉积电极材料的腔室压力以获得表层密度低于下部密度的导电材料层，并通过腐蚀所述导电材料层的表层获得所述第一凹槽，且所述第一凹槽用于容纳形成电极的构图工艺中用到的光刻胶。
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