[发明专利]一种太阳能电池片及其组件有效

专利信息
申请号: 201610876049.2 申请日: 2016-10-08
公开(公告)号: CN106340557B 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 李锋;刘大伟;翟金叶;王子谦;史金超 申请(专利权)人: 保定天威英利新能源有限公司;英利集团有限公司;英利能源(中国)有限公司
主分类号: H01L31/048 分类号: H01L31/048;H01L31/049
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所13120 代理人: 王占华
地址: 071051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池片及其组件,涉及太阳能电池技术领域;包括正面电极、背面电极和衬底,还包括导电层、发射极、遂穿层和背场掺杂层;衬底上、下表面都设有遂穿层;发射极位于衬底上表面遂穿层上,且发射极上设有导电层;背场掺杂层位于衬底下表面的遂穿层下,且背场掺杂层下设有导电层;背面电极设在背场掺杂层下的导电层下;提高了电池性能,遂穿层和发射极层宽的带隙,增加了内建电场从而提升开路电压,同时增加了入射光的利用率提升了短路电流。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 组件
【主权项】:
一种太阳能电池片,其包括正面电极(1)、背面电极(7)和衬底(2),其特征在于:还包括导电层(9)、发射极(3)、隧穿层(8)和背场掺杂层(4);衬底(2)上、下表面都设有隧穿层(8);发射极(3)位于衬底(2)上表面隧穿层(8)上,且发射极(3)上设有导电层(9);背场掺杂层(4)位于衬底(2)下表面的隧穿层(8)下,且背场掺杂层(4)下设有导电层(9);背面电极(7)设在背场掺杂层(4)下的导电层(9)下;隧穿层(8)材料为含氢非晶氧化硅;a‑SiOx:H厚度控制在1‑5nm;隧穿层(8)宽带隙,为1.7‑2.4eV;发射极(3)具有较宽带隙的p型掺杂a‑SiC:H,a‑SiC:H带隙为2eV;背场掺杂层(4)为具有较高电导率的含氢微晶硅。
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