[发明专利]一种太阳能电池片及其组件有效
申请号: | 201610876049.2 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106340557B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 李锋;刘大伟;翟金叶;王子谦;史金超 | 申请(专利权)人: | 保定天威英利新能源有限公司;英利集团有限公司;英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 王占华 |
地址: | 071051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池片及其组件,涉及太阳能电池技术领域;包括正面电极、背面电极和衬底,还包括导电层、发射极、遂穿层和背场掺杂层;衬底上、下表面都设有遂穿层;发射极位于衬底上表面遂穿层上,且发射极上设有导电层;背场掺杂层位于衬底下表面的遂穿层下,且背场掺杂层下设有导电层;背面电极设在背场掺杂层下的导电层下;提高了电池性能,遂穿层和发射极层宽的带隙,增加了内建电场从而提升开路电压,同时增加了入射光的利用率提升了短路电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 组件 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池片,其包括正面电极(1)、背面电极(7)和衬底(2),其特征在于:还包括导电层(9)、发射极(3)、隧穿层(8)和背场掺杂层(4);衬底(2)上、下表面都设有隧穿层(8);发射极(3)位于衬底(2)上表面隧穿层(8)上,且发射极(3)上设有导电层(9);背场掺杂层(4)位于衬底(2)下表面的隧穿层(8)下,且背场掺杂层(4)下设有导电层(9);背面电极(7)设在背场掺杂层(4)下的导电层(9)下;隧穿层(8)材料为含氢非晶氧化硅;a‑SiOx:H厚度控制在1‑5nm;隧穿层(8)宽带隙,为1.7‑2.4eV;发射极(3)具有较宽带隙的p型掺杂a‑SiC:H,a‑SiC:H带隙为2eV;背场掺杂层(4)为具有较高电导率的含氢微晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的