[发明专利]垂直存储器件有效
申请号: | 201610878702.9 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106847823B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 李承民;赵厚成;南祯硕;李钟旻;崔容准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11556;H01L23/544 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括:基板;多个沟道,在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸;多条栅线,在基板上层叠在彼此之上;多条布线,在栅线上方并电连接到栅线;以及识别图案,在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。 | ||
搜索关键词: | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种垂直存储器件,包括:基板;在所述基板上的多个沟道,所述沟道在垂直于所述基板的顶表面的第一方向上延伸;多条栅线,在所述基板上层叠在彼此之上,所述栅线围绕所述沟道,所述栅线沿着所述第一方向彼此间隔开;多条布线,在所述栅线上方并电连接到所述栅线;以及识别图案,在所述基板上处于与所述布线中的至少一个的层级相同的层级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的