[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201610879714.3 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106601676A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王参群;余德伟;方子韦;陈毅帆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置的形成方法包括沉积可流动的介电层于基板上，以及回火可流动的介电层。此方法亦包括进行高温(HT)掺杂工艺于可流动的介电层上。HT掺杂工艺可包括注入掺质离子至可流动的介电层，并在注入掺质离子时加热基板。加热基板的方法可包括加热基板支架的温度至高于100℃，且基板支架用于固定基板。上述方法的优点之一为降低可流动的介电材料其湿蚀刻率(WER)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包括：形成多个鳍状物于一基板上；形成一栅极结构于该些鳍状物上；形成一掺杂的应变区与该栅极结构相邻；沉积一可流动的介电层于该栅极结构与该掺杂的应变区上；以及在可流动的介电层上进行一高温掺杂工艺，以形成一高温掺杂的介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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