[发明专利]三维非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维非易失性存储器，包括基底、堆叠结构与沟道层。堆叠结构设置于基底上，且包括多个第一介电层、多个栅极与多个电荷存储结构。第一介电层与栅极交替地堆叠。电荷存储结构设置于栅极的一侧。相邻两个电荷存储结构借助位于其间的第一介电层进行隔离。各个电荷存储结构包括依序设置于各个栅极的一侧的第一氧化层、氮化层与第二氧化层。沟道层设置于堆叠结构的邻近于电荷存储结构的侧壁上。

主权项

一种三维非易失性存储器，包括：一基底；一堆叠结构，设置于该基底上，且包括：多个第一介电层与多个栅极，其中所述第一介电层与所述栅极交替地堆叠；以及多个电荷存储结构，设置于所述栅极的一侧，且相邻两个电荷存储结构借助位于其间的该第一介电层进行隔离，其中各该电荷存储结构包括依序设置于各该栅极的一侧的一第一氧化层、一氮化层与一第二氧化层；以及一沟道层，设置于该堆叠结构的邻近于所述电荷存储结构的侧壁上。