[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：在第一纳米线和第二纳米线上形成功函数层；在半导体衬底上形成第一金属栅电极层；去除位于第一纳米线上的部分所述功函数层；在从所述第一金属栅电极层中露出的所述第一纳米线的侧壁上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，回蚀刻去除位于第一纳米线上的部分高度的所述功函数层以及部分第一金属栅电极层；在第一金属栅电极层形成第二金属栅电极层，以形成包围部分第一纳米线的第一金属栅极结构，其包括位于所述第一纳米线部分侧壁上的第一厚度的功函数层，以及位于所述第一厚度的功函数层上方的第二厚度的功函数层，所述第一厚度大于所述第二厚度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一晶体管区和第二晶体管区，在所述第一晶体管区和第二晶体管区内的半导体衬底上分别形成有第一纳米线和第二纳米线，所述第一纳米线和所述第二纳米线垂直于所述半导体衬底的表面；在所述第一纳米线和所述第二纳米线上形成功函数层，并延伸到所述半导体衬底上；在所述半导体衬底上形成第一金属栅电极层，其中，所述第一金属栅电极层的顶面低于所述第一纳米线和所述第二纳米线的顶面；去除位于第一纳米线上的部分所述功函数层，使所述第一纳米线上剩余的所述功函数层的顶面与所述第一金属栅电极层的顶面齐平；在从所述第一金属栅电极层中露出的所述第一纳米线的侧壁上形成硬掩膜层，其中，位于所述第一纳米线侧壁上的所述硬掩膜层的厚度小于所述功函数层的厚度；以所述硬掩膜层为掩膜，回蚀刻去除位于所述第一纳米线上的部分高度的所述功函数层以及所述第一纳米线外侧的部分所述第一金属栅电极层；在所述第一金属栅电极层形成第二金属栅电极层，以形成包围部分所述第一纳米线的第一金属栅极结构，其中，所述第一金属栅极结构包括位于所述第一纳米线部分侧壁上的第一厚度的功函数层，以及位于所述第一厚度的功函数层上方的第二厚度的功函数层，所述第一厚度大于所述第二厚度。