[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610882995.8 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107359164B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 胡志玮;叶腾豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 曹玲柱<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。该存储器结构包括多个存储器区段。存储器区段各包括存储器阵列区、存储器选择区、半导体栅电极、半导体通道、栅介电层、栅电极层与通道层。存储器选择区邻近存储器阵列区。半导体通道连接半导体栅电极。栅电极层与半导体通道位于存储器选择区中。栅电极层通过栅介电层分开自半导体通道。通道层与半导体栅电极位于存储器阵列区中。通道层通过栅介电层分开自半导体栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体通道 栅电极 存储器阵列区 存储器选择 半导体 栅电极层 栅介电层 通道层 存储器结构 存储器区段 邻近 制造 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，其特征在于，包括数个存储器区段，该些存储器区段各包括：/n一存储器阵列区；/n一存储器选择区，邻近该存储器阵列区；/n一半导体条纹，为一连续未中断的条纹结构，延伸于该存储器阵列区与该存储器选择区中，包括相连接的一半导体栅电极和一半导体通道，其中该半导体栅电极在该存储器阵列区中，该半导体通道在该存储器选择区中；/n一栅介电层；/n一栅电极层，与该半导体通道位于该存储器选择区中，且通过该栅介电层分开自该半导体通道；及/n一通道层，与该半导体栅电极位于该存储器阵列区中，且通过该栅介电层分开自该半导体栅电极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610882995.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
