[发明专利]一种提高岩盐结构氮化铪膜性能的方法有效

专利信息
申请号: 201610883676.9 申请日: 2016-10-10
公开(公告)号: CN106367719B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 胡超权;郑伟涛;顾志清 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张岩;朱世林
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种提高岩盐结构氮化铪膜性能的方法,引入适量钽的岩盐结构氮化铪膜的化学式为Hf1‑yTayN,按各成分的原子数百分含量计,氮含量为50%,铪与钽的总含量为50%,钽占铪钽原子总数的比例y为3%‑11%,采用双靶共溅射法,以高纯铪和高纯钽为靶源,氩和氮的混合气体作为放电气体,在单晶硅和玻璃基底上沉积含钽的氮化铪膜,氮气流速为2.0sccm,氩气流速80.0sccm,基底温度为200℃,衬底偏压为‑160V,靶基距离为70mm,溅射压强为1.0Pa,沉积时间为90min,真空度为4×10‑4Pa,Hf靶的功率为150W,Ta靶的功率为25W‑100W。该方法工艺简单,通过引入适量钽能够有效减小岩盐结构氮化铪膜反射阈值波长且同时增加其反射率、电导率、硬度和耐磨性能,所得氮化铪膜可以应用于许多重要的光学涂层领域。
搜索关键词: 一种 提高 岩盐 结构 氮化 性能 方法
【主权项】:
1.一种提高岩盐结构氮化铪膜性能的方法,其特征在于:引入适量钽的岩盐结构氮化铪膜的化学式为Hf1‑yTayN,按各成分的原子数百分含量计,氮含量为50%,铪与钽的总含量为50%,钽占铪钽原子总数的比例y为3%‑11%,采用双靶共溅射法,以高纯铪和高纯钽为靶源,氩和氮的混合气体作为放电气体,在单晶硅和玻璃基底上沉积含钽的氮化铪膜,氮气流速为2.0sccm,氩气流速80.0sccm,基底温度为200℃,衬底偏压为‑160V,靶基距离为70mm,溅射压强为1.0Pa,沉积时间为90min,真空度为4×10‑4Pa,Hf靶的功率为150W,Ta靶的功率为25W‑100W。
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