[发明专利]集成电路器件

摘要

本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。

主权项

一种集成电路器件，包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于所述鳍型有源区域的所述上表面延伸并包括沟道区域，所述纳米片位于与所述鳍型有源区域的所述上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在所述鳍型有源区域上并围绕所述纳米片的至少一部分，所述栅极在交叉所述鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在所述纳米片和所述栅极之间；源极和漏极区域，形成在所述鳍型有源区域上并连接到所述纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在所述纳米片上，所述第一绝缘间隔物覆盖所述栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在所述栅极与所述源极和漏极区域之间且在所述鳍型有源区域的所述上表面和所述纳米片之间的空间中，所述第二绝缘间隔物具有多层结构。