[发明专利]电子器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种电子器件及其制造方法。作为对光刻法的有成本效益的替换，提供一种用于形成电子器件的方法，包括步骤：在平坦表面的第一部分上沉积包括掺杂剂的、第一数量的第一液体介质，并且在表面的第二部分上沉积第二数量的第一液体介质，第一数量的介质与第二数量的介质通过一间隙间隔开；加热第一数量的介质、第二数量的介质和表面，加热被配置成使掺杂剂中的至少一些从第一液体介质扩散到表面中；在表面上的间隙中沉积介电材料；从表面选择性地去除第一数量的介质和第二数量的介质；在第一部分和第二部分中的每一个上沉积电子触点；以及在介电材料上沉积另外的电子触点。

主权项

1.一种用于在基板上形成多个电子器件的方法，所述方法包括：提供与所述基板分开形成的半导体颗粒；将所述半导体颗粒放置在所述基板上的预定位置处；不可移动地将所述半导体颗粒固定到所述基板的所述预定位置处；在不可移动地固定所述半导体基板之后，去除所述半导体颗粒中的每一个的部分，以便暴露所述多个半导体颗粒的截面，其中所述截面是平坦表面；以及在每个平坦表面正上方或正下方提供一个或多个可栅控电子部件，针对每个平坦表面，提供一个或多个可栅控电子部件包括：在所述平坦表面的第一部分上沉积包括掺杂剂的、第一数量的第一液体介质，并且在所述平坦表面的第二部分上沉积第二数量的第一液体介质，所述第一数量的介质与所述第二数量的介质通过一间隙间隔开；加热所述第一数量的介质、所述第二数量的介质和对应的半导体颗粒，所述加热被配置成使所述掺杂剂中的至少一些从所述第一液体介质扩散到所述平坦表面中；在所述平坦表面上的所述间隙中沉积介电材料；从所述平坦表面选择性地去除所述第一数量的介质和所述第二数量的介质；在所述第一部分和所述第二部分中的每一个上沉积电子触点；以及在所述介电材料上沉积另外的电子触点。