[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610886753.6 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107293522B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市龟山*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，此半导体装置具有环绕硅穿孔电极的环状结构。其制造方法包含接收基板，此基板包含后侧与具有导体的前侧；形成孔洞在该基板中，此孔洞暴露导体；形成沟渠，从后侧延伸至基板中并环绕孔洞；形成第一材料层于孔洞中；以及形成第二材料层于沟渠中。填满第二材料层的沟渠将形成环状结构，而填满第一材料层的孔洞则形成硅穿孔电极。环状结构可降低或消除硅穿孔电极与基板或两相邻硅穿孔电极间的热应力，而达到避免发生裂痕或剥离的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包含：基板，包含后侧与前侧，且所述前侧具有导体；孔洞，穿透所述基板并暴露所述导体；以及沟渠，从所述后侧延伸至所述基板中，并环绕所述孔洞，其中，第一材料层位于所述孔洞中并电性连接至所述导体，且第二材料层位于所述沟渠中。
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