[发明专利]减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存有效
| 申请号： | 201610892693.9 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107945831B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 朱长峰;李琪 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存，电路包括：检测模块，检测模块与NAND闪存中一字线的驱动端相连，当字线选中时，检测模块检测字线的驱动端电压，并根据字线的驱动端电压生成检测电压；触发模块，触发模块的输入端与检测模块的输出端相连，触发模块的输出端与与字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵相连，当检测电压大于预设参考电压时，触发模块触发至少一个电荷泵，以使电荷泵向对应的与字线相邻的未选中字线输出第一电压，所述第一电压大于0V且所述第一电压小于所述字线的编程电压。本发明实施例能够有效减少选中字线的电压建立时间，提高NAND闪存的编程速度。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 nand 闪存 编程 建立 时间 电路 | ||
【主权项】：
一种减小NAND闪存编程建立时间的电路，其特征在于，包括：检测模块，所述检测模块与NAND闪存中一字线的驱动端相连，当所述字线选中时，所述检测模块检测所述字线的驱动端电压，并根据所述字线的驱动端电压生成检测电压；触发模块，所述触发模块的输入端与所述检测模块的输出端相连，所述触发模块的输出端与与所述字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵相连，当所述检测电压大于所述预设参考电压时，所述触发模块触发所述至少一个电荷泵，以使所述电荷泵向对应的所述与所述字线相邻的未选中字线输出第一电压，所述第一电压大于0V且所述第一电压小于所述字线的编程电压。
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