[发明专利]压粉磁心、压粉磁心用粉末和压粉磁心的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610893890.2 申请日: 2016-10-13
公开(公告)号: CN107025986B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 冈本大祐;高桥利光;三枝真二郎;石井洪平;岩田直树;黄晸焕;大坪将士;服部毅;原昌司 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01F27/255 分类号: H01F27/255;H01F41/02;H01F1/33;H01F1/147
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘航;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种抑制压粉磁心的铁损且抑制强度的降低,并且即使施加于压粉磁心的磁场为高磁场(40kA/m以上)也能够抑制电感的降低的压粉磁心。压粉磁心(1A),在软磁性粒11A的表面具有氮化铝层(12A),第1相对微分磁导率μ’L与第2相对微分磁导率μ’H的比满足μ’L/μ’H≤6的关系,在60kA/m的施加磁场下的磁通密度为1.4T以上,压粉磁心(1A)的软磁性粒(11A)含有1.0~3.0质量%的范围的Si,并且,在对压粉磁心(1A)进行XRD分析时,来自AlN的峰波形的面积Sal相对于来自Fe的峰波形的面积Sfe的比即峰面积比Sal/Sfe为4%以上。
搜索关键词: 压粉磁心 压粉磁心用 粉末 制造 方法
【主权项】:
1.一种压粉磁心,其特征在于,具备:在由Fe‑Si‑Al合金构成的母材的表面具有氮化铝层的软磁性粒;和在软磁性粒彼此之间的、软化点温度比将压粉磁心退火时的所述软磁性粒的退火温度低的低熔点玻璃层,所述压粉磁心,在将1kA/m的施加磁场下的相对微分磁导率作为第1相对微分磁导率μ’L、将40kA/m的施加磁场下的相对微分磁导率作为第2相对微分磁导率μ’H时,第1相对微分磁导率μ’L与第2相对微分磁导率μ’H的比满足μ’L/μ’H≤6的关系,且在60kA/m的施加磁场下的磁通密度为1.4T以上,所述软磁性粒含有1.0~3.0质量%的范围的Si,并且,在对所述压粉磁心进行XRD分析时,来自AlN的峰波形的面积Sal相对于来自Fe的峰波形的面积Sfe的比即峰面积比Sal/Sfe为4%以上。
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