[发明专利]基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件在审
| 申请号： | 201610895773.X | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106571387A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;曹甲军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件。其自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlGaN势垒层(4)和栅介质层(5)，AlGaN势垒层的两端分别为源级(7)和漏级(8)，栅介质层(5)的上部为栅极(6)，该栅介质层(5)自下而上包括Al2O3过渡层(501)和介电常数大于Al2O3的高K介质层(502)。该高K叠栅介质结构设计增加了栅介质与AlGaN势垒层的导带偏移量，提高栅介质的介电常数，增强栅电容对沟道电子的控制力，有效减小了栅极泄漏电流，提高了器件的工作电压，改善了器件的功率特性，可用于高频大功率电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 材料 algan gan 电子 迁移率 mos 器件 | ||
【主权项】：
基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件，自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)，源级(7)和漏级(8)分别位于AlGaN势垒层(4)的两端，栅极(6)位于栅介质层(5)的上部，其特征在于：栅介质层(5)包括：Al2O3过渡层(501)和介电常数大于Al2O3介电常数的高K介质层(502),该高K介质层(502)位于Al2O3过渡层(501)的上部，用于提高栅控能力。
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