[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜发电玻璃激光刻划方法

摘要

本发明公开一种铜铟镓硒薄膜发电玻璃激光刻划方法，沿刻划方向分别设置第一激光刻划系统与第二激光刻划系统，构成并排的双激光刻划系统；使用第一激光刻划系统刻划第一道划线，匹配双激光刻划系统的重复频率、电流、刻线速度及脉宽，利用双激光刻划系统刻划第二道划线与第三道划线；采用双激光系统同时刻划一条线，可以降低每个激光系统的功率以及频率，能够提高划线速度，同时减小碎屑产生率，提高镀膜效果；并且取代机械刻划方式刻划多层薄膜，降低死区面积，提高电池有效面积，增加电池效率，提高工业生产效率；双激光系统结构简单，有利于推广应用。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜发电玻璃激光刻划方法，其特征在于，包括以下步骤：S1）在玻璃衬底上生长氮化硅阻挡层；S2）在氮化硅阻挡层上溅射金属背电极；S3）沿刻划方向分别设置第一激光刻划系统与第二激光刻划系统，构成并排的双激光刻划系统；S4）启动第一激光刻划系统刻划第一道划线，将金属背电极划开，分隔金属背电极；S5）在金属背电极上生长PN结层；S6）启动双激光刻划系统刻划第二道划线，将PN结层划开，提供前后电极相连的通道；第一与第二激光刻划系统同时同步刻划，第一激光刻划系统的重复频率低于第二激光刻划系统的重复频率；S7）在PN结层上溅射透明导电氧化物薄膜AZO层；S8）启动双激光刻划系统刻划第三道划线，将透明导电氧化物薄膜AZO层与PN结层划开，形成内部串联结构；第一与第二激光刻划系统同时同步刻划，第一激光刻划系统的重复频率低于第二激光刻划系统的重复频率；第一激光刻划系统刻划掉透明导电氧化物薄膜AZO层，并在PN结层形成100～1000nm凹槽，第二激光刻划系统刻划掉剩余的PN结层。