[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201610897750.2 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN107799580B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 韦维克;陈柏安;陈鲁夫 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/78;H01L29/808 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔媛 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件,其具有顶层掺杂区。所述顶层掺杂区的一侧的掺质浓度梯度与其相对侧的掺质浓度梯度不同。所述顶层掺杂区可提升器件的击穿电压,并降低器件的开启状态电阻。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种二极管,其特征在于,所述二极管包括:一阴极区,具有一第一导电型,位于一基底中;一阳极区,具有一第二导电型,位于所述基底中,位于所述阴极区周围;以及一顶层掺杂区,具有所述第二导电型,位于所述阴极区与所述阳极区之间的所述基底中,所述顶层掺杂区具有一掺质浓度梯度,所述顶层掺杂区接近所述阳极区处的所述掺质浓度梯度与接近所述阴极区处的所述掺质浓度梯度不同。
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