[发明专利]旁热式微传感器及其制造方法有效
申请号: | 201610898632.3 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN106629575B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 陈滢;李昕欣;陈传钊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种旁热式微传感器及其制造方法,包括衬底,衬底内形成有凹槽;焊盘,位于凹槽外围的衬底表面;旁热式微传感器主体,位于凹槽的上方,包括主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极,旁式加热元件及敏感电极位于主体支撑层表面,且旁式加热元件位于敏感电极的外侧,第一绝缘层位于旁式加热元件表面;支撑梁,位于衬底及旁热式微传感器主体之间,适于将旁热式微传感器主体固支于衬底上;疏水疏油层,位于第一绝缘层表面、裸露的主体支撑层表面、裸露的衬底表面及支撑梁表面。本发明采用旁热式结构,减少了敏感材料所在区域绝缘层漏电对于敏感测试信号造成的干扰,在敏感电极区域实现简易的自对准式液态敏感材料上载。 | ||
搜索关键词: | 式微 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种旁热式微传感器,其特征在于,所述旁热式微传感器包括:衬底,所述衬底内形成有凹槽;焊盘,位于所述凹槽外围的所述衬底表面;旁热式微传感器主体,位于所述凹槽的上方,且与所述凹槽的底部相隔一定间距;所述旁热式微传感器主体包括:主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极,所述旁式加热元件及所述敏感电极位于所述主体支撑层表面,且所述旁式加热元件位于所述敏感电极的外侧,所述第一绝缘层位于所述旁式加热元件表面;支撑梁,位于所述衬底及所述旁热式微传感器主体之间,适于将所述旁热式微传感器主体固支于所述衬底上;疏水疏油层,位于所述第一绝缘层表面、裸露的所述主体支撑层表面、裸露的所述衬底表面及所述支撑梁表面。
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