[发明专利]形成互连线的方法及制造使用互连线的磁存储器件的方法有效

专利信息
申请号: 201610900409.8 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN106972098B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 徐载训;金钟圭;吴廷翼;金仁皓;朴钟撤;白光铉;梁贤宇 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 此处提供一种制造磁存储器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成磁性隧道结图案;在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案;在层间绝缘层上形成导电层;图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案;以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H),以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。
搜索关键词: 形成 互连 方法 制造 使用 磁存储器
【主权项】:
一种形成互连线的方法,包括:在衬底上的绝缘层上形成导电层;图案化所述导电层以形成导电图案;以及在所述导电图案上执行清洁工艺,其中所述清洁工艺使用具有第一气体和第二气体的气体混合物执行,其中所述第一气体包括氢元素(H),以及所述第二气体包括与所述氢元素反应的源气体。
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