[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，包含第一鳍式场效晶体管及第二鳍式场效晶体管。第一鳍式场效晶体管包含第一栅极、第一源极及第一漏极，且具有源极/漏极间的第一距离。第二鳍式场效晶体管包含第二栅极、第二源极及第二漏极，且具有小于第一鳍式场效晶体管源极/漏极间距离的第二距离。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管装置为一种输入/输出装置，而第二鳍式场效晶体管装置为诸如一核心装置的非输入/输出装置。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管源极/漏极之间具有较大的距离，是因为第一鳍式场效晶体管装置的一附加间隔层而第二鳍式场效晶体管装置没有。其功效在于可减少短通道效应。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包含：一第一鳍式场效晶体管装置，包含一第一栅极，一第一源极，以及一第一漏极，其中该第一鳍式场效晶体管装置具有一源极/漏极间第一距离；以及一第二鳍式场效晶体管装置，包含一第二栅极，一第二源极，以及一第二漏极，其中该第二鳍式场效晶体管装置具有不同于该源极/漏极间第一距离的一源极/漏极间第二距离。