[发明专利]半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610900692.4 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106856194B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 徐善京;柳承官;赵汊济;赵泰济 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体芯片及其制造方法。可以提供一种半导体芯片，该半导体芯片包括：半导体器件层，包括焊盘区域和单元区域；多条最上布线，形成在半导体器件层上并以相等的距离布置在单元区域中；钝化层，形成在单元区域和焊盘区域中；多个热凸起，设置在钝化层上以与所述多条最上布线电绝缘。所述半导体器件层可以包括位于焊盘区域中的多个硅通孔(TSV)结构。所述多条最上布线可以沿一个方向平行延伸并具有相同的宽度。所述钝化层可以至少覆盖单元区域中的所述多条最上布线的顶表面并包括具有波浪形状的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：半导体器件层，包括焊盘区域和单元区域，半导体器件层包括位于焊盘区域中的多个硅通孔结构；多条最上布线，位于半导体器件层上，所述多条最上布线在单元区域中以相等的距离布置，所述多条最上布线具有相同的宽度并且沿一个方向平行延伸；钝化层，位于单元区域和焊盘区域中，钝化层至少覆盖单元区域中的所述多条最上布线的顶表面，钝化层的位于单元区域中的顶表面具有波浪形状；以及多个热凸起，位于钝化层上，所述多个热凸起与所述多条最上布线电绝缘。
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