[发明专利]晶圆级封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610901128.4 申请日: 2016-10-17
公开(公告)号: CN106971988B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 崔亨硕;成基俊;金钟薰;刘荣槿;裴弼淳 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 晶圆级封装件及其制造方法。根据各种实施方式,可以提供封装件、半导体和晶圆级封装件,并且可以提供制造封装件、半导体和晶圆级封装件的方法。一种制造晶圆级封装件的方法可以包括以下步骤:在保护晶圆的表面处形成对准标记;利用所述对准标记来将半导体管芯安装在所述保护晶圆上;形成覆盖所述半导体管芯的第一感光介电层;将所述第一感光介电层的顶表面平坦化;将经平坦化的第一感光介电层的部分曝光并且对其进行显影,以形成使所述半导体管芯的一部分暴露的开口部;以及在所述第一感光介电层上形成再分配线。可以形成第二感光介电层以覆盖所述再分配线。还可以提供相关的晶圆级封装件。
搜索关键词: 晶圆级 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种晶圆级封装件,该晶圆级封装件包括:第一屏蔽层,所述第一屏蔽层覆盖保护晶圆的第一表面;半导体管芯,所述半导体管芯被安装在所述第一屏蔽层上;第一介电层,所述第一介电层覆盖所述半导体管芯并且具有顶表面和侧壁;第二介电层,所述第二介电层覆盖所述第一介电层的所述顶表面和所述侧壁;第二屏蔽层,所述第二屏蔽层被设置在所述第一介电层的所述侧壁与所述第二介电层之间,以覆盖所述第一介电层的所述侧壁;再分配线,所述再分配线被设置在所述第一介电层的所述顶表面与所述第二介电层之间,并且穿过贯穿所述第一介电层的第一开口部电连接到所述半导体管芯;以及外部连接件,所述外部连接件被设置在所述第二介电层上,并且穿过贯穿所述第二介电层的第二开口部电连接到所述再分配线。
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