[发明专利]一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610902726.3 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106505046B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘云杰;郝兰众;韩治德;薛庆忠 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/02;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18 |
| 代理公司： | 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 | 代理人： | 毛胜昔 |
| 地址： | 266580 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以绝缘基片为衬底的碳‑铝‑碳半导体薄膜材料及其制备方法，其为层状结构，由下至上依次为用作衬底的绝缘基片、第一层碳薄膜层、铝中间插层和第二层碳薄膜层；制备方法主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子顺次轰击不同靶材表面：先石墨靶材，在衬底表面上沉积第一层碳薄膜层，后铝金属靶材沉积铝中间插层，最后再石墨靶材沉积第二层碳薄膜层。本发明与纯碳薄膜产品相比，其电子浓度和电子迁移率分别至少提高了6个数量级和1个数量级，电阻率至少降低了4个数量级。本发明的工艺简单、参数控制简便；成品率高、产品质量稳定性与可靠性好，且制造成本低、适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 衬底 半导体 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以绝缘基片为衬底的碳‑铝‑碳半导体薄膜材料，其特征在于，为复合层结构，由下至上依次包括用作衬底的绝缘基片、第一层碳薄膜层、铝中间插层和第二层碳薄膜层；其中：所述碳薄膜层，其纯度为99.999％；所述铝中间插层，其纯度为99.99％；所述第一层碳薄膜层、铝中间插层和第二层碳薄膜层的厚度分别为20‑80nm、8nm和20‑80nm；所述绝缘基片为玻璃基片、陶瓷基片、石英基片、绝缘Si基片或蓝宝石基片。
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