[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610905679.8 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106960837A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王垂堂;陈颉彦;汤子君;余振华;杨青峰;刘明凯;王彦评;吴凯强;张守仁;林韦廷;吕俊麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件，包括半导体管芯。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。接触件耦合至集成半导体封装件并且配置为半导体封装件的接地端。半导体器件还具有基本密封集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径与接触件耦合。本发明的实施例还提供了3D(三维)半导体封装件以及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体管芯；绝缘层，围绕所述半导体管芯；后钝化互连件(PPI)，位于所述绝缘层和第一半导体管芯上方；导电部件，位于所述绝缘层的边缘中并且延伸穿过所述绝缘层，其中，所述导电部件包括从所述绝缘层暴露的表面；EMI(电磁干扰)屏蔽罩，基本覆盖所述绝缘层的边缘并且与所述导电部件的暴露的表面接触。
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