[发明专利]一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构有效
| 申请号： | 201610906994.2 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106399960B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 吴行阳;吴思伟;杨连乔;张建华;殷录桥;李起鸣;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人： | 上海大学;镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C16/505;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200436*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构，所述方法包括如下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上形成金属单质层；所述金属单质为铝或钛；S2：在所述金属单质层上形成相应金属的掺硅化合物层；S3：在所述掺硅化合物层上形成类金刚石绝缘导热薄膜。本发明结合磁控溅射与射频化学气相沉积技术，在基板上沉积与基板结合力良好的类金刚石绝缘导热薄膜，达到高导热、高绝缘性的效果。本发明制备的类金刚石绝缘导热薄膜可以很好的应用于MPS二极管铜或铝合金基板上，作为封装结构中绝缘和导热散热层来使用，且不局限于MPS二极管铜或铝合金基板上使用，还可以应用于其他类型的需要快速散热并需要绝缘的基板上面，具有广泛的工业前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 导热 薄膜 制备 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘导热薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上形成金属单质层；所述金属单质为铝；S2：往反应腔室内通入硅源，同时进行铝靶的磁控溅射，在所述金属单质层上形成铝的掺硅化合物层，所述硅源包括六甲基二硅氧烷或四甲基硅烷；S3：在所述掺硅化合物层上形成类金刚石绝缘导热薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学;镓特半导体科技（上海）有限公司，未经上海大学;镓特半导体科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610906994.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
