[发明专利]半导体器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610907176.4 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106784000B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴政宪;叶致锴;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底和在衬底上方形成的堆叠的引线结构。半导体器件结构还包括在堆叠的引线结构的中间部分上方形成的栅极结构和在堆叠的引线结构的两个相对侧处形成的源极/漏极(S/D)结构。S/D结构包括顶面、侧壁表面以及在顶面和侧壁表面之间的圆形拐角。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：衬底；堆叠的引线结构，形成在所述衬底上方；在所述堆叠的引线结构的中间部分上方形成栅极结构；以及源极/漏极结构，形成在所述堆叠的引线结构的两个相对侧处，其中，所述源极/漏极结构包括顶面、侧壁表面以及位于所述顶面和所述侧壁表面之间的圆形拐角。
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