[发明专利]一种带GaN子阱的RTD发射区新设计在审
| 申请号： | 201610909347.7 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106653863A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 高博;刘洋 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带GaN子阱的共振隧穿二极管（RTD）的发射区结构设计方案，所设计的RTD结构见附图，自发射极到集电极依次为GaN发射区，Al组分缓变增加的AlGaN发射区、AlGaN隔离区、GaN子阱、AlGaN/GaN/AlGaN双势垒单势阱区、GaN隔离区、GaN集电区。本发明所设计的结构显著提高了器件的峰值电流、输出功率和频率特性，实现了GaN做发射区的欧姆接触，避免了工艺上AlGaN掺杂困难，不易做电极接触的问题，同时保证了发射区能带的连续性。室温下的仿真结果是IP=43mA/um2，Iv=7.67mA/um2，PVCR=5.61，比普通结构的GaN基RTD提高了约一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan rtd 发射 设计 | ||
【主权项】：
本发明所设计的新型发射区结构的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode, RTD）的器件结构由发射极到集电极依次为：GaN发射区，Al组分缓变（从0缓变到x）的AlxGa1‑xN发射区、AlxGa1‑xN隔离区、GaN子阱、AlyGa1‑yN/GaN/AlyGa1‑yN双势垒单势阱有源区、GaN集电极隔离区、GaN集电区。
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