[发明专利]一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺

摘要

一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层。其中化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为：77‑80% Ni，14‑16% W，6‑7% P，所述镀层厚度为3~10µm；而电镀Cu层，其厚度为0.5~3µm。本发明制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层成分符合电子封装锡基焊点界面反应阻挡层的使用要求，且镀层与基板结合紧密，镀层平整，厚度均匀，结构致密。本发明具有工艺流程简单、工艺参数容易控制等优势，所制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层对锡基焊点界面化合物生长具有非常有效的抑制作用。

主权项

1.一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，其特征在于：A.所述双镀层包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层：所述化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为：77‑80％Ni，14‑16％W，6‑7％P，所述化学镀Ni‑W‑P层厚度为3～10μm；所述电镀Cu层厚度为0.5～3μm；B.所述化学镀Ni‑W‑P层的制备工艺是：(1)化学镀液的配制：将硫酸镍、柠檬酸钠、次磷酸钠、乳酸、氯化铵和钨酸钠混合并加水搅拌均匀，再使用氨水溶液调整pH至7；所用试剂及药品的纯度为分析纯；化学镀的水浴温度为80～85℃；(2)将纯Cu片置于上述化学镀液中，同时放入0.1g/L的小铝片，保温静置2.5小时，得到Ni‑W‑P镀层厚度7μm；所得镀层厚度可据时间调整，镀层速度为2.84μm/h；C.所述电镀Cu层的制备工艺是：(1)电镀溶液的配制：将焦磷酸铜、硫酸铜、焦磷酸钾、磷酸氢二钾和硫酸混合溶于水中并搅拌均匀；(2)以已进行了化学镀Ni‑W‑P的基板作为阴极，纯铜板作为阳极，通入直流电流；电镀电流密度为1A/dm2，电压为3V；电镀时间5min，电镀Cu厚度为1μm；所得镀层厚度可据时间调整，电镀的速率为0.2μm/min；所述化学镀液中硫酸镍为30g/L，柠檬酸钠为35g/L，次磷酸钠为30g/L，乳酸为16ml/L，氯化铵为1mol/L，钨酸钠为30g/L；所述电镀溶液中焦磷酸铜为100g/L，硫酸铜为50～70g/L，焦磷酸钾为350g/L，磷酸氢二钾为40～60g/L，硫酸为2～4g/L；电镀温度为35～40℃。