[发明专利]基于垂直导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610910686.7 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106356421B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 阮圣平;张德重;温善鹏;郭文滨;沈亮;董玮;张歆东;孙亮;陈川;刘昕 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 刘世纯,王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于垂直导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由衬底、采用溶胶‑凝胶法在衬底上制备的纳米TiO2薄膜、采用蒸镀法在纳米TiO2薄膜上制备的一对Au引线点、采用蒸镀法及控制氧化法在纳米TiO2薄膜表面和Au引线点上制备的Au/Ni叉指电极、采用蒸镀法及控制氧化法在TiO2薄膜表面和Au/Ni叉指电极上制备的NiO薄膜构成，其中NiO薄膜的厚度为20～60nm。叉指电极间形成垂直于器件导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结，在暗态下空间电荷区较宽，器件传输沟道较窄，有效限制暗电流；在紫外光照下，P‑N结内建电场减弱，空间电荷区变窄，光控传输沟道变宽，实现器件的高光电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 垂直 导电 方向 tio2 nio 异质 形成 光控 传输 沟道 紫外 探测器 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种基于垂直导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器，其特征在于：从下至上依次由衬底、采用溶胶‑凝胶法在衬底上制备的纳米TiO2薄膜、采用蒸镀法在纳米TiO2薄膜上制备的一对Au引线点、采用蒸镀法及控制氧化法在纳米TiO2薄膜表面和Au引线点上制备的Au/Ni叉指电极、采用蒸镀法及控制氧化法在TiO2薄膜表面和Au/Ni叉指电极上制备的NiO薄膜构成，其中NiO薄膜的厚度为20～60nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610910686.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
