[发明专利]一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器在审
| 申请号： | 201610911122.5 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107957631A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李萍;史云玲 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司12107 | 代理人： | 张义 |
| 地址： | 300000 天津市北辰区北辰经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，通过将铌酸锂电光调制器的电极制备成上下型结构，上层电极(信号极)分别位于光学波导上方，下层电极为地电极，因而上下型电极结构对光学波导可以起到100％的调制效率，远高于传统铌酸锂电光调制器的40％至50％的电光调制效率；此外，本申请采用具有单晶结构的、厚度为0.1μm至10μm的铌酸锂薄膜材料，可实现与传统铌酸锂电光调制器相比更短的电极间距。上述两方面因素可大幅降低铌酸锂电光调制器的半波电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 效率 铌酸锂 薄膜 电光 调制器 | ||
【主权项】：
一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，基底材料(1)、下层电极(2)、下缓冲层(3)、铌酸锂薄膜(4)、光学波导(5)、上缓冲层(6)、上层电极(7)，所述上层电极(7)为信号级，包括正电极和负电极，正电极和负电极分别位于左右两侧光学波导(5)上方，所述下层电极为地电极，所述铌酸锂薄膜(4)为具有单晶结构的、厚度为0.1μm至10μm的铌酸锂薄膜材料。
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