[发明专利]具有PMOS存取晶体管的RRAM单元及其形成方法

摘要

本发明的实施例涉及一种包括由PMOS晶体管驱动的RRAM单元的集成芯片和相关的形成方法。在一些实施例中，集成芯片具有布置在半导体衬底内的PMOS晶体管。电阻式RRAM单元，布置在覆盖半导体衬底的层间介电(ILD)层内。RRAM单元具有第一导电电极，第一导电电极通过具有可变电阻的介电数据存储层与第二导电电极分隔开。第一导电电极通过一个或多个金属互连层连接到PMOS晶体管的漏极端。使用PMOS晶体管驱动RRAM单元，允许减少体效应的影响，因此，允许在低功耗和短时间下执行复位操作。

主权项

1.一种形成集成芯片的方法，包括：/n在衬底内形成PMOS晶体管；以及/n在所述衬底上方形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，其中，所述电阻式随机存取存储器单元具有第一导电电极，所述第一导电电极连接至所述PMOS晶体管的漏极区且通过具有可变电阻的介电数据存储层与第二导电电极分隔开，其中，形成所述电阻式随机存取存储器单元包括：/n在位于所述衬底上面的层间介电层上形成底部介电层；/n依次沉积第一导电电极层、介电数据存储层、第二导电电极层以及硬掩模层；/n蚀刻第一导电电极层、介电数据存储层和第二导电电极层以形成第一导电电极、介电数据存储层和第二导电电极，其中，第一导电电极包括上部和由所述底部介电层围绕的下部；/n其中，所述下部具有弯曲的侧壁，所述弯曲的侧壁使得所述第一导电电极的下部宽度随着与所述衬底的距离减小而减小，并且所述上部具有成角度的侧壁，所述成角度的侧壁使得所述第一导电电极的上部宽度随着与所述衬底的距离增加而减小；/n其中，所述第一导电电极的底面的宽度小于所述第一导电电极的顶面的宽度。/n