[发明专利]缺陷识别系统在审
| 申请号： | 201610912992.4 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106887400A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄俊荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了缺陷识别系统和缺陷识别方法。该方法包括检测晶片以产生缺陷映射表并且使用缺陷映射表定位晶片上的至少一个缺陷；测量从所述缺陷其中之一反射的光的至少一个光组成；比较从所述缺陷反射的光测量的所述至少一个光组成及所述缺陷的相应光组成的特性曲线；以及根据比较估计缺陷的发生时间。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 识别 系统 | ||
【主权项】：
一种缺陷识别系统，其特征在于包括：光源，被配置为将光投射在晶片上；检测组件，被配置为检测所述晶片以产生缺陷映射表，并且使用所述缺陷映射表来定位所述晶片上的至少一个缺陷；光分析组件，被配置为测量从所述至少一个缺陷中的一个缺陷处反射的光的至少一个光组成；以及处理组件，有效地连接至所述检测组件和所述光分析组件，其中，所述处理组件被编程以将从所述缺陷反射的光测量的所述至少一个光组成与所述缺陷的相应光组成的特性曲线进行比较，并根据比较结果估计所述缺陷的发生时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
