[发明专利]氮化物半导体结构在审
| 申请号： | 201610913019.4 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107785237A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 林昆泉;刘进祥;萧佑霖 | 申请（专利权）人： | 联钧光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体结构，其包括衬底、多重缓冲叠层以及含氮半导体叠层，含氮半导体叠层配置于多重缓冲层上，多重缓冲层配置于衬底以及含氮半导体叠层之间。多重缓冲叠层包括多个含氮半导体复合层，每个多个含氮半导体复合层包括第一氮化铝基层、第二氮化铝基层以及第三氮化铝基层。第二氮化铝基层以及第三氮化铝基层依序叠层于第一氮化铝基层上，且第一氮化铝基层、第二氮化铝基层以及第三氮化铝基层的铝浓度依序递减。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多重缓冲叠层，包括：多个含氮半导体复合层，每个所述多个含氮半导体复合层包括：第一氮化铝基层；第二氮化铝基层；以及第三氮化铝基层，所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层依序叠层于所述第一氮化铝基层上，且所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层的铝浓度依序递减；以及含氮半导体叠层，配置于所述多重缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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