[发明专利]一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法，所述薄膜晶体管存储器采用双栅结构，在半导体薄膜两侧设置两个独立电荷存储层，并且通过编程施加一定的栅极、漏极电压，使电子或空穴分别注入上、下电荷存储层，在单个薄膜晶体管存储器中存储2位4值信息。采用所述薄膜晶体管存储器多值存储方法对编程后阈值电压分布及电荷保持能力的要求与普通单个器件存储1位信息的薄膜晶体管存储器相同，并且多值存储的实现不以牺牲器件的可靠性与稳定性为代价，适用于当前的薄膜晶体管存储器，具有较强的可行性。

主权项

一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，包括：一柔性衬底；一栅电极组，所述栅电极组包括一底栅电极和一顶栅电极，其中所述底栅电极设置于所述柔性衬底上，且所述底栅电极与所述柔性衬底紧贴固定；一电荷存储层组，所述电荷存储层组包括一下电荷存储层和一上电荷存储层，下电荷存储层设置于所述柔性衬底上，且所述下电荷存储层与所述柔性衬底紧贴固定，所述下电荷存储层还与所述底栅电极紧贴固定；一半导体薄膜，所述半导体薄膜位于所述下电荷存储层和所述上电荷存储层之间所述半导体薄膜设置于所述下电荷存储层上，且所述半导体薄膜与所述下电荷存储层紧贴固定，所述上电荷存储层设置于所述半导体薄膜，且所述上电荷存储层与所述半导体薄膜紧贴固定，所述顶栅电极设置于所述上电荷存储层，且所述顶栅电极与所述上电荷存储层紧贴固定；以及一电极组，所述电极组包括一源电极和一漏电极，所述源电极和所述漏电极均设置于所述半导体薄膜上，所述源电极和所述漏电极均与所述半导体薄膜紧贴固定，且所述上电荷存储层与所述源电极及所述漏电极紧贴固定。