[发明专利]半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610915103.X 申请日: 2016-10-20
公开(公告)号: CN106847782B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 林真太郎 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 向勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置包括引线框架、装设在引线框架上的半导体芯片、覆盖引线框架及半导体芯片的密封树脂。引线框架具有柱状的端子。端子具有第1端面、与第1端面为相反侧的第2端面、以及在第1端面与第2端面之间沿纵方向延伸的侧面。在侧面设有阶差部,形成与第2端面为相反侧且具有凹凸部的阶差面。在端子中,从第1端面朝向第2端面延伸且包括阶差面的第1部分被密封树脂覆盖,从第1部分延伸至第2端面的第2部分从密封树脂突出。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 引线 框架
【主权项】:
一种半导体装置,包括:引线框架,具有柱状的端子;半导体芯片,被装设在所述引线框架;以及密封树脂,覆盖所述引线框架及所述半导体芯片,所述端子具有第1端面、与所述第1端面为相反侧的第2端面、以及在所述第1端面与所述第2端面之间沿纵方向延伸的侧面,在所述侧面设有阶差部,形成与所述第2端面为相反侧且具有凹凸部的阶差面,在所述端子中,从所述第1端面朝向所述第2端面延伸且包括所述阶差面的第1部分被所述密封树脂覆盖,从所述第1部分延伸至所述第2端面的第2部分从所述密封树脂突出。
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