[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610915984.5 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107968121B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构及其制造方法。在本发明提供的半导体结构的制造方法中，包括提供一鳍式结构；在所述鳍式结构上形成初始石墨烯层；在所述初始石墨烯层上形成图案化的金属层，去除所述图案化的金属层并在所述图案化的金属层下方的部分初始石墨烯层中形成凹槽，以将所述初始石墨烯层转变为双层石墨烯结构；对所述双层石墨烯结构进行氢化处理，使得所述双层石墨烯产生能带隙；在所述双层石墨烯结构上形成栅介电层。由此获得的半导体结构，有着具有能带隙的双层石墨烯，从而能够显著提高获得的半导体结构的电子迁移率，改善夹断电压不稳定性，有利于提高生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：提供一鳍式结构；在所述鳍式结构上形成初始石墨烯层；在所述初始石墨烯层上形成图案化的金属层，去除所述图案化的金属层并在所述图案化的金属层下方的部分初始石墨烯层中形成凹槽，以将所述初始石墨烯层转变为双层石墨烯结构；对所述双层石墨烯结构进行氢化处理，使得所述双层石墨烯结构产生能带隙；以及在所述双层石墨烯结构上形成栅介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610915984.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种GaN基电子器件垂直芯片
- 下一篇：一种鳍式场效应晶体管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
